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4月3日 吴梦昊教授学术报告(物理与电子工程学院)

编辑:时间:2019-04-02浏览:117设置

报 告 人:吴梦昊教授,华中科技大学

报告题目:二维铁电/多铁材料设计

报告时间:2019年4月3日(周三)下午15:30

报告地点:物理与电子工程学院四楼学术报告厅

主办单位:物理与电子工程学院、科学技术研究院


报告摘要:

    具有高迁移率的二维材料有望取代硅材料成为新一代电路基本材料,但要使其兼具信息非易失性记忆功能则需要加入铁性(铁磁, 铁电, 铁弹),也可解决硅基内存进一步小型化后棘手的量子隧穿和散热问题。 目前的多数铁磁性二维材料居里温度难以达到室温,而二维材料的铁电性和铁弹性在之前鲜有相关研究。自2013年预测出第一个二维范德华铁电体以来,报告人通过第一性原理计算已陆续设计出一系列二维铁电/多铁体,并有部分得到实验证实,其中不少同时是高迁移率半导体,且在低维仍具有较高居里温度,因而有望绕开铁磁性二维材料面临的问题。相比传统铁电体,二维铁电体有望和半导体电路更好地结合。二维版的各种多铁耦合,多铁隧穿结等器件也得到了预测和设计,其性能甚至有望超过三维的版本。


报告人先容:

    吴梦昊, 男,2007年本科毕业于南京大学,2011年博士毕业于内布拉斯加大学林肯分校,,之后三年分别在弗吉尼亚联邦大学和麻省理工学院从事博士后研究,2014年年底成为华中科技大学物理学院教授,目前主要研究方向为二维铁电/多铁体的理论计算。


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